（報告出品方/作者：興業(yè)證券，謝恒、李雙亮）

1、華海清科：國內(nèi) CMP 設(shè)備龍頭，收入規(guī)?？焖贁U大

1.1、國內(nèi) CMP 設(shè)備龍頭，廣泛覆蓋國內(nèi)主流晶圓廠

華海清科成立于 2013 年，是清華大學(xué)踐行“京津冀一體化戰(zhàn)略”、與天津市政府 達成合作意向后合資成立的。公司主要從事半導(dǎo)體專用設(shè)備業(yè)務(wù)，主要產(chǎn)品為化 學(xué)機械拋光（CMP）設(shè)備，是率先填補 CMP 設(shè)備尤其是 12 英寸產(chǎn)品國內(nèi)空白的 龍頭廠商，產(chǎn)品具備國內(nèi)領(lǐng)先的技術(shù)水平和國際主流的性能表現(xiàn)，在中芯國際、 長江存儲、華虹集團、英特爾、長鑫存儲、廈門聯(lián)芯、廣州粵芯、上海積塔等國 內(nèi)外知名 IC 制造商已有廣泛應(yīng)用。

公司主要產(chǎn)品包括 12 英寸和 8 英寸 CMP 設(shè)備，并提供晶圓再生業(yè)務(wù)、關(guān)鍵耗材 銷售和維保業(yè)務(wù)等配套材料及技術(shù)服務(wù)，具體來看： 1） 公司率先實現(xiàn)產(chǎn)業(yè)化的 12 英寸 CMP 設(shè)備目前仍是公司最主要的收入來源， Universal-300 系列有多款產(chǎn)品，技術(shù)水平已突破至 14nm 邏輯芯片、128 層 3D NAND、1X/1Ynm DRAM 存儲芯片節(jié)點，基本滿足國內(nèi)各類型產(chǎn)線最高技術(shù) 節(jié)點，近年持續(xù)快速放量，2021 年單價約每臺兩千萬元左右； 2） 基于成熟掌握、難度更高的 12 英寸設(shè)備核心技術(shù)，公司在 2019 年根據(jù)市場 需求開發(fā)了 8 英寸設(shè)備 Universal-200 系列，并在 2020 年實現(xiàn)首臺銷售，并逐 步向市場推廣，目前單價每臺千萬元以上； 3） 配套材料及技術(shù)服務(wù)收入隨著 CMP 設(shè)備累計銷售數(shù)量的增加而相應(yīng)增長。 此外，公司 12 英寸減薄拋光一體機已交付指定客戶進行大生產(chǎn)線考核驗證，晶圓 再生代工和耗材等業(yè)務(wù)也在努力開拓中，有望為公司未來發(fā)展創(chuàng)造更大空間和新 的利潤增長點。

公司客戶廣泛覆蓋國內(nèi)主流晶圓廠/存儲廠，集中度相對較高，2021 年前五大客戶 收入占比高達 93%，尤其是長江存儲貢獻了 66%收入，主要與客戶的擴產(chǎn)和采購 節(jié)奏有關(guān)。而綜合近三年情況來看，整體上長江存儲、華虹集團、中芯國際為公 司前三大客戶且收入持續(xù)增長，長鑫存儲、積塔半導(dǎo)體、粵芯等也均為公司客戶。

1.2、實控人為清華大學(xué)，技術(shù)研發(fā)積累深厚

公司間接控股股東為清華控股，持有 37.58%股權(quán)，實際控制人則為清華大學(xué)，而 為響應(yīng)校企改革政策號召，清華大學(xué)擬將清華控股 100%股權(quán)無償劃轉(zhuǎn)給四川能 投，若劃轉(zhuǎn)完成，則公司實控人將變更為四川省國資委。此外，清津厚德等三家 員工持股平臺合計持有 12.22%股權(quán)，董事長路新春持有 7.93%股權(quán)。

清華大學(xué)是國內(nèi)率先從事 CMP 基礎(chǔ)原理研究的高校之一，其摩擦學(xué)國家重點實 驗室自 2000 年起便開展拋光原理研究和關(guān)鍵技術(shù)攻關(guān)，其形成的 CMP 相關(guān)專利 技術(shù)成果是公司初期核心技術(shù)積累的主要來源。公司董事長路新春為清華大學(xué)機 械工程系教授、首席研究員，而其他核心技術(shù)人員也基本都有多年摩擦學(xué)國家重 點實驗室研究工作經(jīng)歷。

公司高度重視研發(fā)，截至 2021 年末研發(fā)人員數(shù)量達 224 人，占公司員工總數(shù)的 32.37%，形成了具有層次化的人才梯隊建設(shè)，公司研發(fā)投入持續(xù)增長，近三年累 計達 2.2 億元，占同期營收比例達 15.88%。 公司成立時，清華大學(xué)將 30 項與 CMP 產(chǎn)業(yè)化發(fā)展密切相關(guān)的專利注入公司，并 將其余 70 項授權(quán)公司使用，其后公司不斷大力研發(fā)投入，并與清華大學(xué)持續(xù)展開 合作研發(fā)項目，目前擁有授權(quán)及在申報 CMP 技術(shù)相關(guān)發(fā)明專利 200 余項。公司 形成了一系列國內(nèi)領(lǐng)先的核心技術(shù)，產(chǎn)品與國外壟斷廠商直接競爭。

1.3、收入規(guī)?？焖贁U大，在手訂單情況良好

公司近年收入持續(xù)快速增長，主要系公司 CMP 設(shè)備驗證成功并推向客戶驗證后， 產(chǎn)品性能受到市場較高認可，隨著客戶數(shù)量和份額的不斷突破以及客戶本身的快 速擴產(chǎn)，公司銷售機臺數(shù)量高速增長。凈利潤方面，由于公司前期投入巨大而銷 售規(guī)模有限，因此 2017-2019 年公司處于虧損階段，但隨著公司機臺出貨數(shù)量和 收入體量極速擴大，自 2020 年開始已成功實現(xiàn)盈利并快速增長。

公司近年毛利率持續(xù)改善，一方面隨著公司機臺生產(chǎn)數(shù)量快速增長，規(guī)?；?料采購使得議價能力提高，生產(chǎn)規(guī)模的增長加大了固定成本的分攤，同時優(yōu)化選 型令直接材料的價格逐步降低，綜合降低了生產(chǎn)成本；另一方面公司持續(xù)推出新 功能、新配置的高端產(chǎn)品，單臺設(shè)備價格有所提升。同時得益于規(guī)模效應(yīng)下費用 率的顯著下降，公司凈利率改善明顯。

站在當前時點，我們認為，公司作為國內(nèi)少有的實現(xiàn) CMP 設(shè)備規(guī)模量產(chǎn)的龍頭廠 商，產(chǎn)品基本滿足國產(chǎn)替代需求，并持續(xù)推進 14nm 及以下等先進制程產(chǎn)品研發(fā) 及認證，未來隨著下游客戶快速擴產(chǎn)以及國產(chǎn)替代推進下份額提升，公司將繼續(xù) 迎來訂單和銷售的快速增長。

據(jù)公司招股書披露，截至 2021 年底，公司 CMP 設(shè)備已累計出貨超 140 臺，未發(fā) 出產(chǎn)品的在手訂單超 70 臺，在手訂單極其充足。而這從財務(wù)報表也可以得到進一 步佐證，公司近年合同負債金額高速增長，尤其是 2021 年底相比 2020 年底的 1.64 億元增長數(shù)倍達到了 7.79 億元，而存貨金額也保持類似的高速增長，證明了下游 客戶的訂單旺盛以及公司為此進行了積極準備。

2、國內(nèi)擴產(chǎn)高峰+國產(chǎn)替代加速，CMP 設(shè)備龍頭迎發(fā)展良機

2.1、全球主要晶圓廠積極擴產(chǎn)，半導(dǎo)體設(shè)備市場持續(xù)景氣

半導(dǎo)體行業(yè)結(jié)構(gòu)性景氣持續(xù)，全球市場規(guī)模有望再創(chuàng)新高。2021 年，得益于汽車 電子、5G、IoT 等下游需求高景氣，行業(yè)整體供給偏緊，全球半導(dǎo)體市場規(guī)模同 比大增 26%，達到創(chuàng)紀錄的 5559 億美元。展望 2022 年，汽車電子、云計算等細 分領(lǐng)域持續(xù)高景氣，有望帶動市場規(guī)模繼續(xù)成長，超過 6000 億美元。

全球主要 IC 制造廠展望樂觀，積極進行產(chǎn)能擴充。雖然部分芯片供給緊缺情況 逐漸緩解，但主要晶圓廠判斷行業(yè)整體供需依然偏緊，因此紛紛宣布了積極的擴 產(chǎn)規(guī)劃和資本開支計劃。如代工龍頭臺積電看好 5G、HPC、汽車電子的長期增長 趨勢，在全球范圍內(nèi)積極擴產(chǎn)，2022 年的資本開支指引也在去年 300 億美元的高 基數(shù)上進一步顯著提高，達到 400-440 億美元。

在全球主要晶圓廠積極的資本開支下，半導(dǎo)體設(shè)備龍頭廠商也都持續(xù)處于供不應(yīng) 求狀態(tài)，根據(jù) SEMI 統(tǒng)計，2021 年全球半導(dǎo)體設(shè)備市場規(guī)模激增 44%，創(chuàng)下約 1030 億美元的新高。其中占比最大的前道晶圓制造設(shè)備市場同樣增長 40%以上， 達到約 900 億美元，并預(yù)計 2022 年將繼續(xù)增長 18%，達到 1070 億美元的新高， 且 2023 年市場也將保持健康，維持在千億美元之上。

中國大陸的晶圓廠/存儲廠隨著技術(shù)逐漸突破，近年更是積極進行產(chǎn)線建設(shè)，尤其 是 2020 年以來，隨著國內(nèi)領(lǐng)先晶圓廠/存儲廠實現(xiàn)關(guān)鍵技術(shù)突破，其擴產(chǎn)更是處 于高峰期。我們統(tǒng)計了國資背景主要晶圓廠/存儲廠的擴產(chǎn)規(guī)劃，12 寸邏輯代工及 IDM 產(chǎn)能將從 2021 年底的 40 多萬片/月提升至 2024 年底的超過 130 萬片/月；長 江存儲和長鑫存儲的總產(chǎn)能也將從 2021 年底的 16 萬片/月提升至 2024 年底的約 50 萬片/月，均有顯著提升。

國內(nèi)下游本身的快速擴產(chǎn)外，自主可控進程的加速更是進一步為國產(chǎn)供應(yīng)商帶來 了前所未有的發(fā)展良機。近年中美貿(mào)易關(guān)系存在不確定性，美國先后對華為、中 芯國際等國產(chǎn)廠商逐步加大制裁，使得國內(nèi)半導(dǎo)體行業(yè)意識到了產(chǎn)業(yè)鏈自主可控 的必要性，紛紛加速國產(chǎn)替代進程。

在當前中美貿(mào)易摩擦的大背景下，國內(nèi)晶圓廠對于核心供應(yīng)鏈自主可控的需求日 益增強，國內(nèi)設(shè)備、材料廠商迎來千載難逢的好機會，國產(chǎn)化速度將進一步提速， 以長江存儲為例，國產(chǎn)設(shè)備在各個環(huán)節(jié)的比例在逐漸提升，未來隨著資本開支進 一步加大，國產(chǎn)化比例有望進一步提升，相關(guān)細分領(lǐng)域的龍頭公司訂單及業(yè)績有 望持續(xù)加速。（報告來源：未來智庫）

2.2、CMP 設(shè)備：IC 制造表面平坦化利器，國產(chǎn)替代空間巨大

2.2.1、晶圓制造表面平坦化利器，隨制程演進步驟持續(xù)增加

在晶圓制造過程中，由于晶圓在沉積等工序后表面都會變得粗糙和不平整，因此 需要拋光來實現(xiàn)晶圓表面的平坦化，如機械拋光、化學(xué)拋光、化學(xué)機械拋光（Chemical Mechanical Polish，CMP）等技術(shù)，其中 CMP 技術(shù)結(jié)合了機械研磨和 化學(xué)腐蝕的優(yōu)點，具有極高的平整度和全局化平坦效果，因此成為了最為主流的 拋光技術(shù)。

CMP 工藝在集成電路中的應(yīng)用主要包括單晶硅片拋光和芯片制造拋光，此外先進 封裝領(lǐng)域也越來越多地使用 CMP 工藝。在單晶硅片制造環(huán)節(jié)，單晶硅片首先通過 化學(xué)腐蝕減薄，減薄后粗糙度在 10-20μm，此后進行粗拋光、細拋光、精拋光等 步驟，將粗糙度控制在 nm 級別以內(nèi)。

CMP 設(shè)備是對硅片/晶圓自動化實施 CMP 工藝的超精密設(shè)備，包含拋光、清洗、 傳送等關(guān)鍵功能模塊。以核心的拋光模塊為例，在作業(yè)過程中，拋光頭將晶圓待 拋光面壓抵在粗糙的拋光墊上，拋光盤則帶動拋光墊旋轉(zhuǎn)，借助拋光液腐蝕、微 粒摩擦、拋光墊摩擦等耦合實現(xiàn)平坦化。 這其中較為關(guān)鍵的技術(shù)在于可全局分區(qū)施壓的拋光頭，其在限定的空間內(nèi)對晶圓 全局的多個環(huán)狀區(qū)域?qū)崿F(xiàn)超精密可控單向加壓，以調(diào)節(jié)壓力、控制晶圓拋光形貌， 使晶圓拋光后表面達到超高平整度。同時還需要終點檢測系統(tǒng)對膜層進行實時厚 度測量以防止過拋。且隨著晶圓尺寸增大及制程節(jié)點演進，對于精度的要求更高， 這便需要更先進的拋光頭超精密分區(qū)壓力控制技術(shù)和更先進的終點檢測技術(shù)。 此外，芯片制程的不斷縮減和拋光液配方的愈加復(fù)雜均導(dǎo)致拋光后更難以清洗， 且對 CMP 清洗后的顆粒物數(shù)量要求呈指數(shù)級降低，因此對于清洗單元的要求也 越來越高。

不同于光刻機等一些其他半導(dǎo)體專用設(shè)備，CMP 設(shè)備在較長時間內(nèi)不存在技術(shù)迭 代周期，應(yīng)用于 28nm 和 14nm 的 CMP 設(shè)備沒有顯著的差異，僅是特定模塊技術(shù) 的優(yōu)化。CMP 工藝由 14nm 持續(xù)向 7nm、5nm、3nm 先進制程推進過程中，CMP 技術(shù)將不斷趨于拋光頭分區(qū)精細化、工藝控制智能化、清洗單元多能量組合化方 向發(fā)展，拋光驅(qū)動技術(shù)、壓力調(diào)控技術(shù)、智能控制系統(tǒng)、終點識別檢測系統(tǒng)以及 智能清洗模塊等關(guān)鍵模塊技術(shù)將是 CMP 技術(shù)未來發(fā)展的重要突破方向。 另外，隨著 IC 制程節(jié)點不斷推進，一方面更精細的節(jié)點使得對 CMP 拋光的要求 更高，另一方面工藝步驟數(shù)也有明顯提升，14nm 制程的 CMP 工藝步驟約為 20 步，而到了 7nm 以下制程后其 CMP 工藝步驟已經(jīng)達到約 30 步。

而存儲芯片中 NAND 產(chǎn)品制程隨著技術(shù)升級和演進，CMP 拋光步驟也同樣增加 明顯，首先，NAND 產(chǎn)品從 2D 切換到 3D，對應(yīng) CMP 工藝步驟數(shù)翻倍，鎢 CMP 制程和其他 CMP 制程均有大幅提升；同時，3D NAND 產(chǎn)品隨著層數(shù)提升，CMP 步驟也有快速增加。

除設(shè)備本身外，CMP 設(shè)備廠商還需要提供配套的關(guān)鍵耗材銷售和維保業(yè)務(wù)。在 IC 制造用半導(dǎo)體設(shè)備中，CMP 設(shè)備是使用耗材較多、核心部件有定期維保更新需求 的制造設(shè)備之一，其正常運行過程中，除了需要使用拋光液、拋光墊等通用耗材 外，設(shè)備自身的拋光頭、保持環(huán)、氣膜、清洗刷等關(guān)鍵耗材也會快速損耗，必須 進行定期維保更新。

2.2.2、行業(yè)格局高度集中，國產(chǎn)替代空間巨大

根據(jù) SEMI 歷史數(shù)據(jù)及公司招股書整理，CMP 設(shè)備市場規(guī)模占 IC 制造設(shè)備市場 規(guī)模的比例約在 3%。而結(jié)合 SEMI 統(tǒng)計的 2021 年全球晶圓制造設(shè)備市場規(guī)模， 我們測算全球 CMP 設(shè)備市場規(guī)模約 30 億美元。

而分地區(qū)來看，中國大陸市場規(guī)模整體上保持著較快的復(fù)合增速，2020 年占比已 升至全球第一，約 27%，而中國臺灣地區(qū)和韓國則緊隨其后，分別占據(jù)約 25%和 23%的比例。

前文已述，CMP 設(shè)備對于拋光頭分區(qū)壓力控制技術(shù)、終點檢測技術(shù)、清洗技術(shù)等 都要極為嚴格精密的要求。而從研發(fā)角度來看，CMP 設(shè)備是一種集摩擦學(xué)、表/界 面力學(xué)、分子動力學(xué)、精密制造、化學(xué)/化工、智能控制等多領(lǐng)域最先進技術(shù)于一 體的設(shè)備，涉及集成電路、機械、材料、物理、力學(xué)、化學(xué)、化工、電子、計算 機、儀器、光學(xué)、控制、軟件工程等多學(xué)科的交叉，研發(fā)制造難度大。 全球 CMP 設(shè)備市場處于高度壟斷狀態(tài)，主要由美國應(yīng)用材料和日本荏原兩家設(shè) 備制造商占據(jù)，合計擁有全球 CMP 設(shè)備超過 90%的市場份額，尤其在 14nm 以下 最先進制程工藝的大生產(chǎn)線上所應(yīng)用的 CMP 設(shè)備僅由兩家國際巨頭提供。

國內(nèi)市場也同樣仍由海外龍頭占有較大比例，尤其是在先進制程方面仍依賴于 AMAT 和荏原兩家廠商，但國產(chǎn)廠商也取得良好突破，華海清科在制程和工藝方 面不斷攻克，已能滿足較大一部分國產(chǎn)替代需求，應(yīng)用于更先進制程的設(shè)備也在 有序推進中。

2.3、華海清科：CMP 設(shè)備國產(chǎn)替代先鋒，有望迎來快速增長期

如前所述，華海清科為國內(nèi)少有實現(xiàn) CMP 設(shè)備規(guī)模量產(chǎn)、更是唯一一家實現(xiàn) 12 英寸 CMP 設(shè)備量產(chǎn)銷售的廠商，公司產(chǎn)品覆蓋制程和工藝已能較大程度滿足替 代需求，并深受客戶認可，是當之無愧的國產(chǎn)替代先鋒。

從覆蓋能力來講，公司 12 英寸設(shè)備截至報告期末累計量產(chǎn)晶圓超 1300 萬片，且 其在邏輯芯片制造、3D NAND 制造、DRAM 制造等領(lǐng)域的工藝技術(shù)水平已分別 突破至 14nm、128 層、1X/1Ynm，均為當前國內(nèi)大生產(chǎn)線的最高水平；同時，公 司研發(fā)的 8 英寸系列 CMP 設(shè)備已在國內(nèi)集成電路制造商中實現(xiàn)了產(chǎn)業(yè)化應(yīng)用， 主要用于晶圓制造、MEMS 制造及科研攻關(guān)等領(lǐng)域。

和海外龍頭廠商 AMAT 和 Ebara 相比，公司由于自身起步更晚，同時下游國內(nèi)客 戶制程水平與國際龍頭也有差距，因此公司在 14nm 以下先進制程與龍頭廠商仍 存在一定差距；但在公司已經(jīng)投入下游客戶大生產(chǎn)線批量采用的設(shè)備方面，公司 關(guān)鍵技術(shù)指標已達到與國際設(shè)備同等水平，且在拋光驅(qū)動技術(shù)、終點識別技術(shù)、 干燥技術(shù)等方面有自己的特點甚至優(yōu)勢。此外，相較國際龍頭廠商，公司位于大 陸，在地域上更接近客戶，在成本、運輸、快速響應(yīng)就近服務(wù)、售后服務(wù)等方面 都更具明顯優(yōu)勢。 而在國內(nèi)廠商中，目前除了華海清科外，其余 CMP 設(shè)備廠商較為稀少，主要為中 電科設(shè)立的爍科精微，其生產(chǎn)的 8 英寸設(shè)備已通過中芯國際和華虹集團驗證并實 現(xiàn)商業(yè)銷售，首臺 12 英寸設(shè)備也已發(fā)往客戶處驗證，但尚未在客戶處大規(guī)模采 用。整體上來說華海清科先發(fā)優(yōu)勢明顯，技術(shù)水平和客戶進展都顯著領(lǐng)先于國內(nèi) 同行，是國產(chǎn)替代當之無愧的排頭兵。

客戶方面，前文已述，近三年長江存儲、華虹集團、中芯國際為公司前三大客戶 且收入持續(xù)增長，此外長鑫存儲、積塔半導(dǎo)體、粵芯等也均為公司客戶。公司產(chǎn) 品在國內(nèi)主流晶圓廠得到較高評價和認可，部分領(lǐng)域與海外龍頭直接競爭。 據(jù)公司招股書整理披露，自公司產(chǎn)品 2018 量產(chǎn)以來，依托穩(wěn)定的性能、突出性價 比和良好的售后服務(wù)優(yōu)勢，公司在國內(nèi) CMP 設(shè)備市場占有率顯著提升，按 SEMI 統(tǒng)計市場規(guī)模及公司銷售額測算，公司在中國大陸的市占率由 2018 年的 1.05%提 升至 2020 年的 12.64%；而根據(jù)長江存儲、華虹無錫、上海華力、上海積塔的公 開招標數(shù)據(jù)統(tǒng)計，公司 CMP 設(shè)備的中標比例由 2019 年的 21.05%提升至 2021 年 的 44.26%，替代進度良好。

除了 CMP 設(shè)備以外，公司還創(chuàng)新性研發(fā)了 12 英寸減薄拋光一體機，以實現(xiàn)超精 密磨削和 CMP 全局平坦化的有機整合集成。從應(yīng)用領(lǐng)域角度，超精密減薄與 CMP 有所區(qū)分，適用于背面大量去除材料且對晶圓總厚度偏差有較高控制要求的應(yīng)用 場景，主要應(yīng)用于 3D IC 與先進封裝領(lǐng)域的晶圓背面減薄環(huán)節(jié)，是實現(xiàn)系統(tǒng)級封 裝與 3D NAND 多層堆疊等先進工藝的關(guān)鍵。此前，我國 3D IC 制造、先進封裝 等領(lǐng)域中，12 英寸高精度晶圓減薄機全部依賴進口。 公司推出的減薄拋光一體機 Versatile-GP300 是瞄準國際集成電路制造前沿需求的 先進產(chǎn)品布局，集先進的減薄、CMP 和清洗技術(shù)于一體，目前國際上尚無同類產(chǎn) 品，技術(shù)難度大。據(jù)公司官網(wǎng)披露，其首臺設(shè)備已于 2021 年 9 月實現(xiàn)出貨，發(fā)往 某客戶大生產(chǎn)線，未來有望逐漸貢獻收入增量。

2.4、耗材銷售和維保業(yè)務(wù)、晶圓再生業(yè)務(wù)有望成為公司新的增長點

如前文所述，CMP 設(shè)備是使用耗材較多、核心部件有定期維保更新需求的制造設(shè) 備之一，CMP 設(shè)備廠商通常也會基于自身設(shè)備及工藝技術(shù)向客戶提供專用耗材銷 售和關(guān)鍵耗材維保等技術(shù)服務(wù)，在設(shè)備銷售之外獲取更長期穩(wěn)定和更高盈利能力 的服務(wù)收入。 華海清科同樣為客戶提供關(guān)鍵耗材銷售和維保業(yè)務(wù)，目前向客戶銷售的關(guān)鍵耗材 主要包括保持環(huán)、探測器、氣膜、7 分區(qū)拋光頭等，維保服務(wù)主要包括向客戶提供 7 分區(qū)拋光頭維保等。顯而易見，耗材銷售和維保業(yè)務(wù)通常與公司累計銷售的機 臺數(shù)量相關(guān)，其銷售機臺存量越多，相應(yīng)的耗材銷售及維保需求也會更高。

公司目前關(guān)鍵耗材銷售和維保業(yè)務(wù)較多收入來源于 7 分區(qū)拋光頭維保服務(wù)。由于 不同廠商的 CMP 設(shè)備技術(shù)差異明顯，關(guān)鍵零部件的維保服務(wù)具有明顯的排他性 特征，通常僅能由 CMP 設(shè)備生產(chǎn)廠商提供。而隨著公司 CMP 機臺累計銷售數(shù)量 的增加，公司關(guān)鍵耗材銷售和維保業(yè)務(wù)的規(guī)模預(yù)計也將持續(xù)快速擴大。

此外，公司基于 CMP 設(shè)備業(yè)務(wù)優(yōu)勢也在積極拓展布局晶圓再生業(yè)務(wù)。晶圓再生是 將 IC 制造廠商在制造芯片的過程中使用過的控擋片（IC 制造廠商在芯片制造過 程中會使用控擋片對機器設(shè)備進行熱機、監(jiān)測或者進行適當?shù)奶畛洌┗厥?，將?工藝薄膜、金屬顆粒殘留等雜質(zhì)去除，使其達到再次使用的標準。晶圓再生和采 購新晶圓相比有明顯的成本優(yōu)勢，因此晶圓廠普遍有較高的晶圓再生需求。 控擋片屬于集成電路制造過程中的消耗材料，其用量的變化趨勢與晶圓產(chǎn)能增長 趨勢一致，具有較強的穩(wěn)定性和可持續(xù)性，且隨著芯片制程工藝的提高，控擋片 的用量需求也越來越大。據(jù)日商環(huán)球訊息有限公司(GII)數(shù)據(jù)，2020 年全球再生晶 圓的市場規(guī)模約 5.3 億美元，預(yù)計 2026 年市場規(guī)模將達到 8.4 億美元。而公司招 股書根據(jù) SEMI 數(shù)據(jù)測算，若目前國內(nèi)已建以及在建 12 寸晶圓廠全部達產(chǎn)，按照 再生晶圓數(shù)量占晶圓總產(chǎn)量 30%和良品率 90%的行業(yè)特征來測算，國內(nèi) 12 英寸 再生晶圓的市場空間可以達到 65 萬片/月。

目前全球再生晶圓市場和產(chǎn)能高度集中于日本和中國臺灣，其中日本供應(yīng)商長期 占據(jù)全球再生晶圓市場大部分產(chǎn)能，而中國臺灣供應(yīng)商也隨當?shù)?IC 制造業(yè)迅速發(fā) 展而成為后起之秀。具體來看，日本 RS Technologies 公司為行業(yè)龍頭，2021 年 12 英寸再生晶圓市占率約三分之一，此外日本 Hamada Heavy 公司、Mimasu 公司， 中國臺灣的中砂、辛耘、升陽等公司也在全球晶圓再生市場中擁有較大產(chǎn)能。 中國大陸廠商從事再生晶圓業(yè)務(wù)較晚，2020 年前在晶圓再生專業(yè)代工領(lǐng)域為空白， 大陸晶圓廠都是將大部分的測試晶圓送去中國臺灣或者日本的專業(yè)代工企業(yè)進行 再生加工，少部分會自己進行再生加工。近幾年逐漸有一些廠商進入晶圓再生行 業(yè)，包括華海清科、至純科技、協(xié)鑫集成等廠商都宣布從事該業(yè)務(wù)。

晶圓再生和 CMP 技術(shù)有較為密切的聯(lián)系，其工藝流程主要是對控擋片進行去膜、 粗拋、精拋、清洗、檢測等工序處理，使其表面平整化、無殘留顆粒，其中精拋 及部分清洗是通過 CMP 設(shè)備完成的，CMP 設(shè)備的拋光環(huán)節(jié)可以高精度修復(fù)前段 工藝留下的不平整晶圓表面，保證晶圓表面平整度和缺陷控制指標，CMP 后清洗 可以高效去除拋光過程中產(chǎn)生的納米級顆粒殘留、金屬離子殘留等，因此 CMP 工 藝和技術(shù)是晶圓再生工藝流程的核心和難點。同時 CMP 設(shè)備也是晶圓再生工藝 產(chǎn)線中資金投入最大的設(shè)備。

因此，晶圓再生業(yè)務(wù)和 CMP 設(shè)備業(yè)務(wù)有較強的協(xié)同性，公司近年積極布局晶圓再 生業(yè)務(wù)，已具備主流先進制程工藝標準的晶圓再生代工服務(wù)能力，已與國內(nèi)主要 集成電路制造商簽訂了相關(guān)意向或合同，實現(xiàn)批量化生產(chǎn)。公司募投項目中包含 晶圓再生項目，擬投資 3.58 億元，項目建成后將形成月加工 10 萬片 12 英寸再生 晶圓的生產(chǎn)能力，有望成為公司新的增長點。（報告來源：未來智庫）

3、盈利預(yù)測

核心假設(shè)

CMP 設(shè)備業(yè)務(wù)：公司 CMP 設(shè)備可較大程度上滿足國產(chǎn)替代需求，隨著國內(nèi)下游 客戶快速擴產(chǎn)以及國產(chǎn)化率繼續(xù)提升，公司 CMP 設(shè)備業(yè)務(wù)訂單和收入預(yù)計未來 仍將保持快速增長，預(yù)計毛利率整體保持穩(wěn)定。

配套材料及技術(shù)服務(wù)業(yè)務(wù)：公司關(guān)鍵耗材銷售與維保服務(wù)與累計銷售機臺數(shù)量密 切相關(guān)，隨著公司設(shè)備業(yè)務(wù)快速發(fā)展，該業(yè)務(wù)也將保持向好勢頭；公司晶圓再生 業(yè)務(wù)逐漸實現(xiàn)規(guī)?；a(chǎn)，依托 CMP 的技術(shù)和市場優(yōu)勢，業(yè)務(wù)有望成為公司新的 增長點。

（本文僅供參考，不代表我們的任何投資建議。如需使用相關(guān)信息，請參閱報告原文。）

精選報告來源：【未來智庫】。未來智庫 - 官方網(wǎng)站

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